MRF8S7170NR3【PDF 7/13 页】FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2

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MRF8S7170NR3

3

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

Table 5. Electrical Characteristics

(TA

=25?C unless otherwise noted)

(continued)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Typical Performances

(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD

=28Vdc,IDQ

= 1200 mA, 618--803 MHz Bandwidth

Pout

@ 1 dB Compression Point, CW

P1dB

—

182

—

W

IMD Symmetry @ 160 W PEP, Pout

where IMD Third Order

Intermodulation

?

30 dBc

(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower

Sidebands > 2 dB)

IMDsym

—

16

—

MHz

VBW Resonance Point

(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)

VBWres

—

65

—

MHz

Gain Flatness in 185 MHz Bandwidth @ Pout

=50WAvg.

GF

—

0.5

—

dB

Gain Variation over Temperature

(--30?Cto+85?C)

?G

—

0.017

—

dB/?C

Output Power Variation over Temperature

(--30?Cto+85?C)

?P1dB

—

0.0048

—

dB/?C

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